[发明专利]复合型半导体装置在审
| 申请号： | 201680027806.7 | 申请日： | 2016-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN107667422A | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 仲嶋明生;一条尚生 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/04;H02M7/48;H03K19/003 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人： | 汪飞亚,李艳霞 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供低导通电阻且负荷短路时的耐受性高的复合型半导体装置。在具备互相级联的常通型第一FET(Q1)及常断型第二FET(Q2)的复合型半导体装置(10)中，在对第一FET(Q1)的漏极施加的电压为400V的情况下，设从连接于复合型半导体装置(10)的负荷的短路开始的时间点的经过时间为短路后经过时间T；设第二FET的导通电阻的值为RonQ2，所述第一FET的阈值电压为VTHQ1，在所述第一FET的栅极电压为0V的时候，所述第一FET的饱和状态下之所述第一FET的漏极电流为Idmax1；短路后经过时间T≧2μsec的期间，限制成在防止所述第一FET的破坏程度内的漏极电流为Idmax的时候满足以下数学式的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 复合型 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种复合型半导体装置，具备互相级联的常通型第一FET及常断型第二FET，其特征在于：在对所述第一FET的漏极施加的电压为400V的情况下，设从连接于所述复合型半导体装置的负荷的短路开始的时间点的经过时间为短路后经过时间T；设所述第二FET的导通电阻的值为RonQ2，所述第一FET的阈值电压为VTHQ1，所述第一FET的栅极电压为0V的时候，在所述第一FET的饱和状态下所述第一FET的漏极电流为Idmax1；短路后经过时间T≧2μsec的期间，限制成防止所述第一FET的破坏程度内的漏极电流为Idmax的时候满足以下数学式的关系；[数学式1]RonQ2|VTHQ1|+1Idmax1≥1Idmax.]]>
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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