[发明专利]制造钻石半导体复合基板的方法

摘要

一种制造钻石半导体复合基板的方法，方法包括以下步骤：(i)从原生半导体晶圆开始，包括化合物半导体设置在其上的原生碳化硅生长基板；(ii)将碳化硅载体基板贴合至化合物半导体；(iii)移除原生碳化硅生长基板；(iv)形成化合物半导体上的成核层；(v)在成核层上生长多晶化学气相沉积(CVD)钻石以形成复合钻石‑化合物半导体‑碳化硅晶圆；以及(vi)通过激光剥离移除碳化硅载体基板以实现层状结构，包括经由成核层贴合至多晶化学气相沉积钻石的化合物半导体。其中在步骤(ii)中，碳化硅载体基板是经由激光吸收材料贴合至化合物半导体，激光吸收材料吸收在相干长度短于碳化硅载体基板的厚度的激光。

主权项

一种制造钻石半导体复合基板的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(i)从原生半导体晶圆开始，所述原生半导体晶圆包括化合物半导体设置在其上的原生碳化硅生长基板；(ii)将碳化硅载体基板贴合至所述化合物半导体；(iii)移除所述原生碳化硅生长基板；(iv)形成所述化合物半导体上的成核层；(v)在所述成核层上生长多晶化学气相沉积钻石以形成复合钻石‑化合物半导体‑碳化硅晶圆；以及(vi)移除所述碳化硅载体基板以实现层状结构，包括经由所述成核层贴合至所述多晶化学气相沉积钻石的所述化合物半导体；其中在步骤(ii)中，所述碳化硅载体基板是经由激光吸收材料贴合至所述化合物半导体，所述激光吸收材料吸收在相干长度短于所述碳化硅载体基板的厚度的激光，其中在步骤(vi)中，从所述化合物半导体移除所述碳化硅载体基板是通过以下步骤:加热所述复合钻石‑化合物半导体‑碳化硅晶圆到至少100℃的温度；将具有相干长度短于所述碳化硅载体基板的激光导向通过所述碳化硅载体基板，所述激光被所述激光吸收材料吸收；以及在暴露于所述激光造成所述碳化硅载体基板从所述化合物半导体分离之后，冷却所述复合钻石‑化合物半导体‑碳化硅晶圆。