[发明专利]低应力低氢型LPCVD氮化硅有效
| 申请号： | 201680028363.3 | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107533974B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | N·S·德拉斯 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;C23C16/34;H05K3/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在所描述的示例中，一种微电子器件(102)包含高性能氮化硅层，此氮化硅层的化学计量在2原子百分比(at％)内，具有低应力为600MPa到1000MPa，并且具有小于5原子百分比的低氢含量，由LPCVD工艺形成。LPCVD工艺使用氨气NH3和二氯甲硅烷DCS气体，其比率为4比6，压力为150毫托至250毫托，并且温度为800℃至820℃。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 低氢型 lpcvd 氮化 | ||
【主权项】：
一种微电子器件，其包括：衬底；以及布置在所述衬底上的氮化硅层，所述氮化硅层具有以下特性：硅：氮原子比在2％以内，其比率为3:4；应力为600兆帕至1000兆帕即600MPa至1000MPa；并且氢含量小于5原子百分比。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德克萨斯仪器股份有限公司，未经德克萨斯仪器股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680028363.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：湿式蚀刻方法和蚀刻液
- 下一篇：非晶薄膜形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
