[发明专利]保护带及使用其的半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201680028797.3 申请日: 2016-06-03
公开(公告)号: CN107960096B 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 森山浩伸;八木秀和;石松朋之;海老泽胜之;本庄庆司;金子纯一 申请(专利权)人: 迪睿合株式会社
主分类号: C09J7/29 分类号: C09J7/29;B32B27/00;H01L21/301;H01L21/304
代理公司: 北京挚诚信奉知识产权代理有限公司 11338 代理人: 邢悦;王永辉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种保护带,其能够使焊料接合性成为良好,晶片的翘曲量减少。保护带依次具备粘接剂层、第一热塑性树脂层、第二热塑性树脂层和基材膜层,且满足下述式(1)~(3)的条件。(1)Ga>Gb;(2)Ta<Tb;(3)(Ga×Ta+Gb×Tb)/(Ta+Tb)≤1.4E+06Pa(式(1)中,Ga是贴附保护带的贴附温度下的第一热塑性树脂层的储存剪切弹性模量,Gb是贴附保护带的贴附温度下的第二热塑性树脂层的储存剪切弹性模量。式(2)中,Ta是第一热塑性树脂层的厚度,Tb是第二热塑性树脂层的厚度。式(3)中,Ga和Gb与式(1)中的Ga和Gb同义,Ta和Tb与式(2)中的Ta和Tb同义。)。
搜索关键词: 保护 使用 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
一种保护带,依次具备粘接剂层、第一热塑性树脂层、第二热塑性树脂层和基材膜层,且满足下述式(1)~(3)的条件,(1)Ga>Gb(2)Ta<Tb(3)(Ga×Ta+Gb×Tb)/(Ta+Tb)≤1.4E+06Pa式(1)中,Ga是贴附该保护带的贴附温度下的第一热塑性树脂层的储存剪切弹性模量,Gb是贴附该保护带的贴附温度下的第二热塑性树脂层的储存剪切弹性模量;式(2)中,Ta是第一热塑性树脂层的厚度,Tb是第二热塑性树脂层的厚度;式(3)中,Ga和Gb与式(1)中的Ga和Gb同义,Ta和Tb与式(2)中的Ta和Tb同义。
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