[发明专利]赋予掺杂硼的碳膜静电夹持及极佳颗粒性能的渐变原位电荷捕捉层有效
| 申请号： | 201680029154.0 | 申请日： | 2016-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN107636197B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | P·K·库尔施拉希萨;段子青;A·A·哈贾;Z·J·叶;A·K·班塞尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;C23C16/34;C23C16/36;C23C16/44;C23C16/458;C23C16/509;H01J37/32;H01L21/683 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 杨学春;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明大体上关于具有渐变组成的处理腔室调整层。在一实施例中，该调整层为硼‑碳‑氮化物(BCN)膜。该BCN膜在该膜的底部处可具有较高的硼成分。随着该BCN膜被沉积，硼的浓度可能接近零，同时碳及氮的相对浓度提高。可借着在初期使硼前体、碳前体及氮前体一同流入来沉积该BCN膜。经过第一时段之后，可降低硼前体的流动速率。在沉积该调整层期间，可在硼前体的流动速率降低时，施加RF功率以生成等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 赋予 掺杂 静电 夹持 极佳 颗粒 性能 渐变 原位 电荷 捕捉 | ||
【主权项】：
1.一种沉积调整层的方法，包括以下步骤：/n将硼前体、氮前体及碳前体引入处理腔室中达第一时段；/n在所述第一时段期间，形成硼-碳-氮调整层的非晶硼基底部分；/n在第二时段期间，逐渐减小所述硼前体的流动速率；及/n在所述第二时段期间，于所述基底部分上沉积所述硼-碳-氮调整层的顶部部分，所述顶部部分具有逐渐减小的硼浓度分布轮廓。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
