[发明专利]液晶介质和包含其的高频组件

摘要

本发明涉及液晶介质，其包含：‑一种或多种手性化合物，和‑一种或多种选自式I、II和III的化合物的化合物其中参数具有如权利要求1中指示的含义，且涉及用于高频技术、特别是移相器和微波阵列天线的包含这些介质的组件。

主权项

液晶介质，其特征在于其包含‑一种或多种手性化合物‑一种或多种选自式I、II和III的化合物的化合物，‑其中R1表示H、具有1至17个C原子的未经氟化的烷基或未经氟化的烷氧基或具有2至15个C原子的未经氟化的烯基、未经氟化的烯氧基或未经氟化的烷氧基烷基，n表示0或1，和至彼此独立地表示替代性地表示‑其中R2表示H、具有1至17个C原子的未经氟化的烷基或未经氟化的烷氧基或具有2至15个C原子的未经氟化的烯基、未经氟化的烯氧基或未经氟化的烷氧基烷基，Z21表示反式‑CH＝CH‑、反式‑CF＝CF‑或‑C≡C‑，和彼此独立地表示‑其中R3表示H、具有1至17个C原子的未经氟化的烷基或未经氟化的烷氧基或具有2至15个C原子的未经氟化的烯基、未经氟化的烯氧基或未经氟化的烷氧基烷基，Z31和Z32中的一者表示反式‑CH＝CH‑、反式‑CF＝CF‑或‑C≡C‑且另一者独立于其地表示反式‑CH＝CH‑、反式‑CF＝CF‑或单键，且至彼此独立地表示替代性地表示和‑任选的一种或多种可聚合化合物，其优选地具有式PPa‑(Spa)s1‑(A1‑Z1)n1‑A2‑Q‑A3‑(Z4‑A4)n2‑(Spb)s2‑Pb   P其中各个基团具有以下含义：Pa、Pb各自彼此独立地为可聚合基团，Spa、Spb各自彼此独立地表示间隔基团，s1、s2各自彼此独立地表示0或1,n1、n2各自彼此独立地表示0或1,优选为0，Q表示单键、‑CF2O‑、‑OCF2‑、‑CH2O‑、‑OCH2‑、‑(CO)O‑、‑O(CO)‑、‑(CH2)4‑、‑CH2‑CH2‑、‑CF2‑CF2‑、‑CF2‑CH2‑、‑CH2‑CF2‑、‑CH＝CH‑、‑CF＝CF‑、‑CF＝CH‑、‑(CH2)3O‑、‑O(CH2)3‑、‑CH＝CF‑、‑C≡C‑、‑O‑、‑CH2‑、‑(CH2)3‑、‑CF2‑,优选‑CF2O‑，Z1、Z4表示单键、‑CF2O‑、‑OCF2‑、‑CH2O‑、‑OCH2‑、‑(CO)O‑、‑O(CO)‑、‑(CH2)4‑、‑CH2‑CH2‑、‑CF2‑CF2‑、‑CF2‑CH2‑、‑CH2‑CF2‑、‑CH＝CH‑、‑CF＝CF‑、‑CF＝CH‑、‑(CH2)3O‑、‑O(CH2)3‑、‑CH＝CF‑、‑C≡C‑、‑O‑、‑CH2‑、‑(CH2)3‑、‑CF2‑，其中Z1和Q或Z4和Q不同时表示选自‑CF2O‑和‑OCF2‑的基团，A1、A2、A3、A4各自彼此独立地表示选自以下的双基：a)反式‑1,4‑亚环己基、1,4‑亚环己烯基和1,4′‑双亚环己基，其中此外，一个或多个不相邻的CH2基可被‑O‑和/或‑S‑替代，和其中此外，一个或多个H原子可被F替代，b)1,4‑亚苯基和1,3‑亚苯基，其中此外，一个或两个CH基团可被N替代，和其中此外，一个或多个H原子可被L替代，c)四氢吡喃‑2,5‑二基、1,3‑二噁烷‑2,5‑二基、四氢呋喃‑2,5‑二基、环丁烷‑1,3‑二基、哌啶‑1,4‑二基、噻吩‑2,5‑二基和硒吩‑2,5‑二基，其各自也可被L单取代或多取代，d)饱和、部分不饱和或完全不饱和以及任选被取代的具有5至20个环C原子的多环基团，该环C原子中的一个或多个可另外被杂原子替代，其优选选自：双环[1.1.1]戊烷‑1,3‑二基、双环[2.2.2]辛烷‑1,4‑二基、螺[3.3]庚烷‑2,6‑二基、其中此外，这些基团中的一个或多个H原子可被L替代，和/或一个或多个双键可被单键替代，和/或一个或多个CH基团可被N替代，和A3替代性地可为单键，L在每次出现时相同或不同地表示F、Cl、CN、SCN、SF5或具有1至12个C原子的直链或支链的在每种情形下任选被氟化的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，R03、R04各自彼此独立地表示H、F或具有1至12个C原子的直链或支链烷基，其中此外，一个或多个H原子可被F替代，M表示‑O‑、‑S‑、‑CH2‑、‑CHY1‑或‑CY1Y2‑，和Y1和Y2各自彼此独立地具有以上对于R0所指示的含义之一，或表示Cl或CN，和基团Y1和Y2中的一者替代性地表示‑OCF3，优选地为H、F、Cl、CN或CF3。