[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置有效
| 申请号： | 201680029379.6 | 申请日： | 2016-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN107683531B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 肥塚纯一;神长正美;岛行德 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L29/04;H01L29/24;H01L21/336;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提高包括氧化物半导体的晶体管的可靠性。半导体装置中的晶体管包括第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的第二氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜上的第二绝缘膜，第一氧化物半导体膜具有与第二氧化物半导体膜重叠的沟道区域、与第二绝缘膜接触的源区域及漏区域，沟道区域包括第一层以及与第一层的顶面接触并覆盖第一层在沟道宽度方向上的侧面的第二层，第二氧化物半导体膜的载流子密度比第一氧化物半导体膜高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括晶体管，其中，所述晶体管包括：第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；所述第一氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；以及所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜上的第二绝缘膜，所述第一氧化物半导体膜包括：与所述第二氧化物半导体膜重叠的沟道区域；与所述第二绝缘膜接触的源区域；以及与所述第二绝缘膜接触的漏区域，所述沟道区域包括：第一层；以及与所述第一层的顶面接触并覆盖所述第一层在沟道宽度方向上的侧面的第二层，并且，所述第二氧化物半导体膜的载流子密度比所述第一氧化物半导体膜高。
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