[发明专利]磁控溅射装置

摘要

本发明提供一种能以简单的结构有效地抑制薄膜厚度分布的偏差的磁控溅射装置。本发明的磁控溅射装置(SM)具有真空室(1)和在该真空室中装卸自如的阴极单元(C)，阴极单元具有朝向真空室内设置的靶(2)和配置在靶的背对溅射面的一侧并在溅射面一侧产生漏磁场的磁铁单元(4)，还具有在溅射靶并对在真空室内与靶相对配置的处理基板(W)进行成膜期间，以靶中心为旋转中心旋转驱动磁铁单元的驱动源(44)；与在处理基板上形成薄膜时产生的薄膜厚度分布的偏差的方位相一致地在真空室或阴极单元的外壳(H)的外壁上局部设置使漏磁场作用在真空室内的辅助磁铁单元(5)。

主权项

1.一种磁控溅射装置，其具有真空室和在该真空室中装卸自如的阴极单元，阴极单元具有朝向真空室内设置的靶和配置在靶的背对溅射面的一侧并在溅射面一侧产生漏磁场的磁铁单元，还具有在溅射靶并对在真空室内与靶相对配置的处理基板进行成膜期间，以靶中心为旋转中心旋转驱动磁铁单元的驱动源，所述磁控溅射装置的特征在于：与在所述处理基板上形成薄膜时产生的薄膜厚度分布的偏差的方位相同地在真空室或阴极单元的外壳的外壁上局部设置使漏磁场作用在真空室内的辅助磁铁单元；所述靶是绝缘材料制成的，将该靶在与内部设置有冷媒循环通道的支撑板相接合的状态下设置在阴极单元中；在施加高频电力溅射靶进行成膜时，从设置在支撑板的上壁上的冷媒流入口向冷媒循环通道中供给冷媒，从设置在该上壁上的冷媒流出口排出的同时通过与冷媒进行热交换来冷却靶；所述辅助磁铁单元在周方向上排列配置为跨过从靶中心经流出口而延伸的线与真空室的外壁的交点，使流出口附近的等离子体的阻抗增加，在所述辅助磁铁单元产生的漏磁场的作用下，抑制在处理基板上形成的薄膜的薄膜厚度分布偏差。