[发明专利]用于先进图案化的线边缘粗糙度降低的保形可剥离碳膜有效
申请号: | 201680030126.0 | 申请日: | 2016-04-28 |
公开(公告)号: | CN107667415B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | B·梅巴基;P·曼纳;缪丽妍;D·帕德希;金柏涵;C·D·本彻尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/027;H01L21/033;H01L21/3105;H01L21/311 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;金红莲 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开的实施例涉及在形成于光刻胶或硬掩模中的特征上方沉积保形有机材料,以减少临界尺寸及线边缘粗糙度。在各种实施例中,超保形碳基材料沉积在形成于高分辨率光刻胶中的特征上方。形成于光刻胶上方的保形有机层由此缩减特征的临界尺寸及线边缘粗糙度。 | ||
搜索关键词: | 用于 先进 图案 边缘 粗糙 降低 保形可 剥离 | ||
【主权项】:
一种处理基板的方法,所述方法包括以下步骤:在硬掩模层上的光刻胶层中形成图案,所述图案形成暴露所述硬掩模层的一暴露部分的一个或更多个特征;在所述光刻胶层上直接沉积保形有机层,所述保形有机层的所述沉积包括:将烃源、等离子体引燃气体及稀释气体引入至所述处理腔室;在所述处理腔室中产生等离子体以在图案化的特征及所述暴露部分上沉积保形有机层;通过蚀刻工艺自所述底部部分移除所述保形有机层以暴露所述硬掩模层的所述暴露部分;蚀刻所述硬掩模层的所述暴露部分以在所述硬掩模层中形成凹槽;以及通过等离子体灰化方法同时移除所述保形有机层及图案化的光刻胶层的剩余部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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