[发明专利]在处理腔室中的气体控制有效
申请号: | 201680030283.1 | 申请日: | 2016-06-01 |
公开(公告)号: | CN107835868B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 梁奇伟;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;怡利·Y·叶 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种处理腔室,包括侧壁、基板支撑件、以及设置于基板支撑件上方的排气口。在排气口与基板支撑件之间形成有处理区域,且排气口耦接到排气器件,排气器件经构造以在相对于处理区域的排气口处建立低压。处理腔室进一步包括气体环,气体环包括具有内表面的环形主体,内表面环绕环形区域。气体环进一步包括多个第一喷嘴,多个第一喷嘴耦接到第一气源,并经构造以将第一气体传递至处理区域。气体环进一步包括多个第二喷嘴,多个第二喷嘴耦接到第二气源,并经构造以将第二气体传递至处理区域。 | ||
搜索关键词: | 处理 中的 气体 控制 | ||
【主权项】:
一种处理腔室,包含:侧壁;基板支撑件;排气口,设置于所述基板支撑件上方,其中在所述排气口与所述基板支撑件之间形成有处理区域,并且所述排气口耦接至排气器件,所述排气器件经构造以在相对于所述处理区域的所述排气口处建立低压;气体环,所述气体环包含:环形主体,具有内表面,所述内表面环绕环形区域;多个第一喷嘴,所述多个第一喷嘴耦接至第一气源,并经构造以将第一气体传递至所述处理区域,其中所述多个第一喷嘴以第一圆形阵列形成于所述环形主体中;以及多个第二喷嘴,所述多个第二喷嘴耦接至第二气源,并经构造以将第二气体传递至所述处理区域,其中所述多个第二喷嘴以第二圆形阵列形成于所述环形主体中。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的