[发明专利]连接结构体的制造方法、导电性粒子、导电膜及连接结构体有效
| 申请号： | 201680030566.6 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN107615466B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 真原茂雄;王晓舸;土桥悠人;笹平昌男 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01B5/16;H01R11/01;H05K3/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种可以降低电极间的连接电阻的连接结构体的制造方法。本发明的连接结构体的制造方法包括：使用含有在130℃下粘度为50Pa·s以上且1000Pa·s以下的粘合剂树脂和导电性粒子的导电膜，使用表面上具有第一电极的第一连接对象部件，且使用表面上具有第二电极的第二连接对象部件，将所述导电膜配置于所述第一连接对象部件和所述第二连接对象部件之间并使所述第一电极和所述第二电极对置，从而得到叠层体的工序；对所述叠层体进行加热及加压，从而进行热压合，由此得到连接结构体的工序，得到下述连接结构体：在得到的连接结构体中，所述导电性粒子压入至所述第一电极中而形成的深度为5nm以上的压痕的数目，在所述第一电极表面积每500μm |
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| 搜索关键词： | 连接 结构 制造 方法 导电性 粒子 导电 | ||
【主权项】：
一种连接结构体的制造方法，其包括：使用含有在130℃下粘度为50Pa·s以上且1000Pa·s以下的粘合剂树脂和导电性粒子的导电膜，使用表面上具有第一电极的第一连接对象部件，且使用表面上具有第二电极的第二连接对象部件，将所述导电膜配置于所述第一连接对象部件和所述第二连接对象部件之间并使所述第一电极和所述第二电极对置，从而得到叠层体的工序；对所述叠层体进行加热及加压，从而进行热压合，由此得到连接结构体的工序，得到下述连接结构体：在得到的连接结构体中，所述导电性粒子压入至所述第一电极中而形成的深度为5nm以上的压痕的数目，在所述第一电极表面积每500μm2中为5个以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
