[发明专利]低功率低相位噪声的振荡器有效
| 申请号： | 201680030591.4 | 申请日： | 2016-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN107615647B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | S-R·刘;A·凯 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/04 | 分类号： | H03B5/04;H03H3/04;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开描述了低功率、低相位噪声(LPLPN)振荡器。LPLPN振荡器(100)包括谐振器负载(102)、放大器级(104)和环路增益控制电路(106)。谐振器负载(102)被构造成以主谐振频率谐振。放大器级(104)与谐振器负载(102)耦合以产生在主谐振频率处达到峰值的环路增益。环路增益控制电路(106)与放大级(104)耦合，并被构造成调节环路增益以便于放大器级(104)在主谐振频率处生成振荡信号并在寄生并联谐振频率(PPRF)处抑制噪声信号。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 相位 噪声 振荡器 | ||
【主权项】：
一种振荡器，包括：基于微机电系统的谐振器即基于MEMS的谐振器，其被构造成以主谐振频率谐振；一对交叉耦合的放大器，其与所述基于MEMS的谐振器耦合以产生在所述主谐振频率处达到峰值的环路增益；以及电感‑电容退化电路即LC退化电路，其与所述一对交叉耦合的放大器耦合并且被构造成调节所述环路增益以促进所述一对交叉耦合的放大器在所述主谐振频率处生成振荡信号并在寄生并联谐振频率即PPRF处抑制噪声信号。
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