[发明专利]光电子装置和深度测量系统在审
| 申请号： | 201680030981.1 | 申请日： | 2016-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107636848A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | H.哈尔布里特;M.阿茨贝格尔;A.林科夫 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58;H01L33/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 胡莉莉,刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于创建光图案的光电子装置，包括发光二极管（LED）芯片，其被设计为在其顶面上发射电磁辐射，所述电磁辐射在LED芯片的顶面上形成二维图案。光电子装置进一步包括光学图像生成元件，其被设计为在光电子装置的周围生成由LED芯片发射的电磁辐射的图像。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 装置 深度 测量 系统 | ||
【主权项】：
一种光电子装置 （10，11，12，13，14，15，16，17），用于产生光图案，具有：发光二极管芯片（100），其被配置为在其上侧（110）上发射电磁辐射（200），电磁辐射（200）在发光二极管芯片（100）的上侧（110）上形成第一二维图案（210），并且具有：光学成像元件（300），其被配置为把由发光二极管芯片（100）发射的电磁辐射（200）投射到光电子装置（10，11，12，13， 14，15，16，17）的环境（310）中。
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