[发明专利]基于硅的熔融组合物和使用其的SiC单晶的制造方法

摘要

本发明涉及一种基于硅的熔融组合物以用于通过溶液法形成SiC单晶，所述组合物包含硅、碳和由以下式(1)定义的溶解度参数(Csisol)小于‑0.37的金属：式(1)，其中在上述式(1)中，A为在包含金属和碳的硅晶格中包含硅原子、碳原子和金属原子的第一评估晶格的第一能量(A)，B为在包含金属的硅晶格中包含硅原子和金属原子的第二评估晶格的第二能量(B)，μ1为作为通过将金刚石晶体结构中硅的总能量除以单元晶格中存在的硅原子数获得的化学势的常数‑5.422，μ2为作为通过将金刚石晶体结构中碳的总能量除以单元晶格中存在的碳原子数获得的化学势的常数‑9.097。