[发明专利]用于电迁移不灭纳米互连的结构和制作方法

摘要

在形成包括被宽沟槽部分(52B)间隔开的窄沟槽部分(52A)的沟槽开口(52)并且在沟槽开口(52)的侧壁和底表面上形成第一扩散屏障层(62)和第一衬垫层(64)的堆叠之后，执行回流工艺以用第一传导材料层(66)填充窄沟槽部分(52A)而不填充宽沟槽部分(52B)。在第一衬垫层(64)的部分和被宽沟槽部分(52B)暴露的第一传导材料层(66)的末端上形成第二扩散屏障层(72)和第二衬垫层(74)的堆叠。沉积第二传导材料层(76)以填充宽沟槽部分(52B)。位于第一传导材料层(66)与第二传导材料层(76)之间的第二衬垫层(74)和第二扩散屏障层(72)的部分充当竖直阻挡边界以防止金属原子的电迁移。

主权项

一种互连结构，包括：被定位在存在于衬底上的电介质材料层内的沟槽开口，所述沟槽开口包括具有第一宽度的多个第一沟槽部分和具有大于所述第一宽度的第二宽度的至少一个第二沟槽部分，所述至少一个第二沟槽部分将所述多个第一沟槽部分相互分离；存在于所述沟槽开口的侧壁和底表面上的第一扩散屏障；存在于所述第一扩散屏障上的第一衬垫；存在于被定位在所述多个第一沟槽部分内的所述第一衬垫的部分上的第一传导材料部分，每个第一传导材料部分填充所述多个第一沟槽部分中的每个第一沟槽部分的其余空间；以及被定位在所述至少一个第二沟槽部分内并且与相邻第一传导材料部分的相应末端邻接的电迁移阻挡岛，所述电迁移阻挡岛包括存在于被定位在所述至少一个第二沟槽部分中的所述第一衬垫的部分和所述相邻第一传导材料部分的所述相应末端上的第二扩散屏障、存在于所述第二扩散屏障上的第二衬垫以及存在于所述第二衬垫上并且填充所述至少一个第二沟槽部分的其余空间的第二传导材料部分。