[发明专利]用于固件更新的铁电存储器扩充的装置和方法有效
| 申请号： | 201680032010.0 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN107615390B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | R·布里德劳;O·M·吉轮-埃尔南德斯;P·W·钟 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在所描述示例中，集成电路包括用于存储固件的铁电随机存取存储器(FRAM)。FRAM被构造成选择性地在正常操作模式中作为2T2C FRAM存储器操作并在更新模式中作为1T1C FRAM存储器操作。通过将FRAM置于其更新(1T1C)模式中(56)，并在多个存储器位置中的每个处将更新代码写入1T1C半单元的交替行中(58)，而其它交替行中的其它1T1C半单元保留原始数据，从而执行所存储固件的更新。在验证更新内容(60)后，其它半单元中的原始数据用经验证的更新数据覆写(62)，并且操作模式改变回到正常(2T2C)操作模式(70)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 更新 存储器 扩充 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种更新存储在集成电路中的铁电随机存取存储器阵列即FRAM阵列中的内容的方法，所述FRAM阵列包括以行和列布置的存储器单元，所述FRAM阵列的每个存储器单元可在正常操作模式中作为两晶体管两电容器即2T2C存储器单元操作，并且可在更新模式中作为第一单晶体管单电容器即1T1C半单元和第二1T1C半单元操作，所述方法包括：在多个所述存储器单元中的每个中存储作为互补极化状态的第一数据集；将所述FRAM阵列置于所述更新模式中；在选择的多个所述存储器单元中的每个的所述第二半单元中写入第二数据集；验证所述第二数据集；响应于成功验证所述第二数据集，将所述第二数据集写入所述选择的多个存储器单元中的每个的所述第一半单元中；以及然后将所述FRAM阵列置于所述正常操作模式中。
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