[发明专利]通过溢料添加进行部分蚀刻记忆

摘要

提供了一种利用刻面化和钝化层在衬底上创建结构轮廓的方法。执行第一等离子体蚀刻工艺，该第一等离子体蚀刻工艺产生刻面化侧壁和期望拐点；使用氧等离子体、氮等离子体或组合的氧等离子体和氮等离子体的来执行第二等离子体蚀刻工艺，从而产生钝化层；以及执行第三等离子体蚀刻工艺，该第三等离子体蚀刻工艺利用刻面化侧壁和钝化层上的蚀刻化学物质的操作变量引起差异蚀刻速率，以在结构的近水平表面上实现突破，其中，所使用的第三等离子体蚀刻被配置成在衬底上产生下至底部停止层的目标侧壁轮廓。在执行第一等离子体蚀刻工艺、第二等离子体蚀刻工艺和/或第三等离子体蚀刻工艺的过程中，控制所选择的两个或更多个等离子体蚀刻变量，以便实现目标侧壁轮廓目的。

主权项

一种利用刻面化和钝化层在衬底上创建结构轮廓的方法，所述方法包括：将所述衬底设置在蚀刻系统的处理室中，所述衬底包括如下结构，所述结构是具有底部停止层的图案化硬掩模，所述图案化硬掩模是电介质硬掩模，在所述图案化硬掩模之上所述结构具有结构高度；执行第一等离子体蚀刻工艺，所述第一等离子体蚀刻工艺在所述衬底上产生刻面化侧壁，所述蚀刻工艺围绕所述图案化硬掩模向下蚀刻到期望拐点；使用氧等离子体、氮等离子体或组合的氧等离子体与氮等离子体来执行第二等离子体蚀刻工艺，所述第二等离子体蚀刻工艺产生钝化层；执行第三等离子体蚀刻工艺，所述第三等离体子蚀刻工艺利用所述刻面化侧壁和所述钝化层上的蚀刻化学物质的操作变量引起差异蚀刻速率，以在所述结构的近水平表面上实现突破，其中，所使用的第三等离子体蚀刻被配置成在所述衬底上产生下至所述底部停止层的目标侧壁轮廓；其中，组合使用刻面化技术和钝化层以实现针对所述结构的目标侧壁轮廓目的。