[发明专利]光学设备及该设备的用途有效

专利信息
申请号: 201680032526.5 申请日: 2016-06-03
公开(公告)号: CN107996004B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 托马斯·席梅尔 申请(专利权)人: 巴登沃特姆伯格基础有限公司
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;G02B5/00;G02B6/122;B82Y10/00
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;王艳春
地址: 德国斯*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及光学设备(100)和光学设备(100)的用途。光学设备(100)包括:源电极(2);漏电极(4);源电极(2)与漏电极(4)之间的间隙区域(6);位于间隙区域(6)中的用于使源电极(2)和漏电极(4)连接和断开并用于改变间隙区域(6)的光学性质和/或等离子体性质的簇(8);以及用于使光进入间隙区域(6)和使光从间隙区域(6)出射的光学耦合元件(10)。
搜索关键词: 光学 设备 用途
【主权项】:
设备(100),包括:至少三个导电电极:源电极(2)、漏电极(4)和控制电极或栅电极(13);以及间隙(6),位于所述源电极与所述漏电极之间;以及可切换的簇(8),能够在至少两个状态之间切换,所述至少两个状态具有不同形状或尺寸或结构或电性质或光学性质,所述簇(8)是优选地在微米尺度或纳米尺度或原子尺度或分子尺度上可移动的或可溶解的或可变形的或者化学地或电化学地可变化的或者可逆地可掺杂/可去掺杂的簇,通过改变施加到所述栅电极(13)的电压,所述簇(8)能够移动、溶解和沉积、变形或者化学地或电化学地变化或者可逆地掺杂或可逆地改变所述簇(8)的掺杂浓度,所述簇(8)在所述源电极与所述栅电极之间位于所述间隙(6)中,其中,所述簇(8)根据所述簇(8)的状态使所述源电极和所述漏电极连接或断开和/或改变所述间隙(6)的电性质或光学性质或磁性质或结构性质;以及光学耦合元件(10),允许使光进入所述间隙区域(6)和从所述间隙区域(6)出射,其中,所述源电极(2)、所述漏电极(4)和所述簇(8)接触;以及检测系统(15),允许检测由于所述簇(8)在所述两个或更多状态之间进行切换引起的光学性质或等离子体性质的改变,特别是在接触区域内或所述接触区域的附近,即,所述可切换簇(8)的位置的附近。
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