[发明专利]用于半导体外延生长的注射器

摘要

一种处理腔室具有顶部、底部、侧壁、基板支撑件、能量源及气体注射器衬垫，所述顶部、底部及侧壁耦接在一起以界定壳体，基板支撑件具有基板支撑表面，能量源耦接至顶部或底部，气体注射器衬垫设置在侧壁。气体注射器衬垫包括设置在第一高度的第一多个气体出口(其中第一多个气体出口中的一个或多个向上或向下定向)、设置在比第一高度低的第二高度的第二多个气体出口(其中第二多个气体出口中的一个或多个向上或向下定向)及设置在比第二高度低的第三高度的第三多个气体出口(其中第三多个气体出口中的一个或多个相对于基板支撑表面向上或向下定向)。

主权项

一种用于处理基板的处理腔室，包括：顶部、底部与侧壁，所述顶部、所述底部与所述侧壁耦接在一起以在所述顶部、所述底部、所述侧壁中界定空间；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述空间中，所述基板支撑件具有基板支撑表面；气体注射器，所述气体注射器设置在所述侧壁，所述气体注射器包含：第一多个气体出口，所述第一多个气体出口设置在第一高度，其中所述第一多个气体出口中的一个或多个以相对于所述基板支撑表面的第一角度定向；第二多个气体出口，所述第二多个气体出口设置在比所述第一高度低的第二高度，其中所述第二多个气体出口中的一个或多个以相对于所述基板支撑表面的第二角度定向；及第三多个气体出口，所述第三多个气体出口设置在比所述第二高度低的第三高度，其中所述第三多个气体出口中的一个或多个以相对于所述基板支撑表面的第三角度定向；及能量源，所述能量源耦接至所述顶部或所述底部。