[发明专利]绝缘栅开关器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201680033066.8 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN107996003B | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 高谷秀史;水野祥司;渡辺行彦;青井佐智子 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/66;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11225 北京金信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄威;邓玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种制造绝缘栅开关器件的方法。所述方法包括：在第一SiC半导体层的表面中形成第一沟槽；将p型杂质注入到所述第一沟槽的底表面中；在所述第一沟槽的内表面上沉积第二SiC半导体层以形成第二沟槽；以及形成栅极绝缘层、栅电极、第一区域和体区域，使得栅极绝缘层覆盖第二沟槽的内表面，栅电极位于第二沟槽中，第一区域为n型并与栅极绝缘层接触，体区域为p型，与注入区域分离，并且在第一区域下方与栅极绝缘层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 开关 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造绝缘栅开关器件的方法，包括：/n在n型的第一SiC半导体层的表面中形成第一沟槽；/n将p型杂质注入到所述第一沟槽的底表面中；/n在注入所述p型杂质之后，在所述第一沟槽的内表面上沉积n型的第二SiC半导体层，以在所述p型杂质的注入区域上方形成第二沟槽，所述第二沟槽具有比所述第一沟槽的宽度窄的宽度；以及/n形成栅极绝缘层、栅电极、第一区域和体区域，使得栅极绝缘层覆盖所述第二沟槽的内表面，所述栅电极位于所述第二沟槽中，所述第一区域为n型并与所述栅极绝缘层接触，所述体区域为p型，与所述注入区域分离，并在所述第一区域下方与所述栅极绝缘层接触。/n
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