[发明专利]有机EL元件的制造方法有效
| 申请号： | 201680033109.2 | 申请日： | 2016-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107637172B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 岩崎正刚;冈本隆章 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;H01L51/50;H05B33/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种有机EL元件的制造方法，所述有机EL元件具有阳极、阴极、设置于阳极与阴极之间的至少一层的有机功能层和密封层，所述有机EL元件的制造方法包括：形成阳极的工序、形成阴极的工序、形成至少一层的有机功能层的工序和形成密封层的工序，从形成至少一层的有机功能层的工序的开始时起至形成密封层的工序的结束时为止，制造中的有机EL元件所被暴露的氮氧化物的平均浓度：A(ppm)与暴露时间：B(秒)满足式(1‑1)，0≤A×B＜12 (1‑1)。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 el 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种有机EL元件的制造方法，所述有机EL元件具有阳极、阴极、设置于阳极与阴极之间的至少一层的有机功能层和密封层，所述有机EL元件的制造方法包括：形成阳极的工序、形成阴极的工序、形成至少一层的有机功能层的工序和形成密封层的工序，从形成至少一层的有机功能层的工序的开始时起至形成密封层的工序的结束时为止，制造中的有机EL元件所被暴露的氮氧化物的平均浓度A与暴露时间B满足式(1‑1)，所述A的单位为ppm，所述B的单位为秒，0≤A×B＜12 (1‑1)。
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