[发明专利]磁阻传感器有效

专利信息
申请号: 201680033634.4 申请日: 2016-06-08
公开(公告)号: CN107923956B 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 里卡多·亚历山大·德·玛托斯·安图尼斯·费雷拉;埃尔维拉·佩雷斯·德·科洛西亚·帕斯 申请(专利权)人: INL-国际伊比利亚纳米技术实验室
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 樊晓焕;金小芳
地址: 葡萄牙*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种磁阻传感器。磁阻传感器包括磁性传感层、磁性参考层、以及位于磁性传感层与磁性参考层之间的隧道势垒层。磁阻传感器还包括具有反铁磁材料层的传感交换层。传感交换层与磁性传感层交换耦合。此外,磁阻传感器进一步包括具有反铁磁材料层的参考交换层。参考交换层与磁性参考层交换耦合。另外,磁阻传感器被配置为,在没有外部磁场的情况下,使得钉扎参考层的交换偏置沿着参考方向,钉扎传感层的交换偏置沿着与参考方向正交的第一方向,并且传感层的磁各向异性平行于第一方向。
搜索关键词: 磁阻 传感器
【主权项】:
一种磁阻传感器,包括:磁性传感层;磁性参考层;位于所述磁性传感层与所述磁性参考层之间的隧穿势垒层;具有反铁磁材料层的传感交换层,所述传感交换层与所述磁性传感层交换耦合;以及具有反铁磁材料层的参考交换层,所述参考交换层与所述磁性参考层交换耦合;其中,在没有外部磁场的情况下:钉扎所述参考层的交换偏置沿着参考方向,钉扎所述传感层的交换偏置沿着与所述参考方向正交的第一方向;并且所述传感层的磁各向异性平行于所述第一方向。
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