[发明专利]量测方法和设备、计算机程序及光刻系统

摘要

公开了用于测量光刻工艺的参数的方法、计算机程序和相关联的设备。方法包括如下步骤：获得包括与多个第一结构有关的结构不对称性的测量的第一测量，结构不对称性的所述多个测量中的每一个对应于测量辐射的不同测量组合和至少第一参数的值；获得与多个目标有关的目标不对称性的多个第二测量，目标不对称性的所述多个测量中的每一个对应于所述不同测量组合中的一个；针对所述测量组合中的每一个确定描述所述第一测量与所述第二测量之间的关系的关系函数；从所述关系函数确定校正重叠值，所述校正重叠值针对归因于至少所述第一结构中的结构不对称性的结构贡献被校正。

主权项

一种测量光刻工艺的参数的方法，所述方法包括如下步骤：获得多个第一测量，所述第一测量包括与多个第一结构有关的结构不对称性的测量，所述多个第一测量包括对应于在至少测量辐射方面不同的不同测量组合的测量；获得多个第二测量，所述第二测量包括与多个目标有关的目标不对称性的测量，所述多个第二测量中的每个第二测量在所述测量组合方面对应于所述多个第一测量中的一个第一测量，所述目标中的每个目标包括所述第一结构中的一个第一结构和重叠在其上的第二结构，所述目标不对称性包括独立于结构不对称性的重叠贡献，和归因于至少所述第一结构中的结构不对称性的结构贡献；针对所述测量组合中的每一个，确定描述所述第一测量与所述第二测量之间的关系的关系函数；从所述关系函数确定校正重叠值，所述校正重叠值针对归因于至少所述第一结构中的结构不对称性的所述结构贡献被校正。