[发明专利]具有多个蚀刻停止层的体块层转移晶片

摘要

公开了用以消除许多器件制造应用中对于SOI晶片的需要的接合半导体器件结构和器件结构制造工艺。在一些示例中，在体块半导体晶片上制造有源器件结构期间，多个蚀刻停止层被形成在原位。该蚀刻停止层被纳入到层转移工艺中以使得具有基本上均匀的跨晶片厚度的极薄的高质量有源器件层能够与体块半导体晶片分隔开并接合到操作晶片。结果，这些示例可以产生高性能且低功率的半导体器件，同时避免SOI晶片的高成本。

主权项

1.一种方法，包括：在半导体晶片的顶部中创建蚀刻停止沟槽；在所述蚀刻停止沟槽中形成第一蚀刻停止材料；在所述第一蚀刻停止材料上产生第二蚀刻停止材料；在所述半导体晶片的顶部中制造器件层，其中所述器件层包括有源器件；将所述半导体晶片接合到操作晶片，其中所述半导体晶片的顶部面对所述操作晶片；在所述接合之后，将所述半导体晶片的底侧打薄到所述第一蚀刻停止材料的底部；在所述打薄之后，将所述第一蚀刻停止材料选择性地消除到所述第二蚀刻停止材料的底部；以及在所述消除之后，移除所述半导体晶片的底部。