[发明专利]卤硅烷化合物和组合物以及用于使用其沉积含硅膜的方法

摘要

本文描述了卤硅烷化合物、用于合成卤硅烷化合物的方法、包含卤硅烷前体的组合物以及用于使用卤硅烷前体沉积含硅膜(例如硅、无定形硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、掺杂硅膜和金属掺杂氮化硅膜)的方法。本文所述的卤硅烷前体化合物的实例包括但不限于一氯乙硅烷(MCDS)、一溴乙硅烷(MBDS)、一碘乙硅烷(MIDS)、一氯丙硅烷(MCTS)和一溴丙硅烷(MBTS)、一碘丙硅烷(MITS)。本文还描述了用于在约500℃或更低的一个或多个沉积温度下沉积含硅膜(例如但不限于硅、无定形硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、掺杂硅膜和金属掺杂氮化硅膜)的方法。

主权项

一种用于通过选自化学气相沉积工艺和原子层沉积工艺的沉积工艺在衬底的至少一个表面上形成氮化硅或碳氮化硅膜的方法，所述方法包括：在反应器中提供所述衬底的所述至少一个表面；引入选自一氯乙硅烷(MCDS)、一溴乙硅烷(MBDS)、一碘乙硅烷(MIDS)、一氯丙硅烷(MCTS)和一溴丙硅烷(MBTS)、一碘丙硅烷(MITS)的至少一种卤硅烷前体；和将含氮源引入所述反应器中，其中所述至少一种含硅前体与所述含氮源反应以在所述至少一个表面上形成所述氮化硅。