[发明专利]外延Ⅲ族氮化物中的掺杂阻挡层在审
| 申请号： | 201680035248.9 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107743655A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | B·D·舒尔茨;A·托拉比;E·M·詹贝斯;S·列扎;W·E·霍克 | 申请（专利权）人： | 雷声公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/207;H01L29/36;H01L29/778;H01L21/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈松涛,王英 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体结构具有直接接触的Ⅲ‑N族缓冲层(16)和Ⅲ‑N族阻挡层(18)，以在Ⅲ‑Ⅴ族缓冲层与所述Ⅲ‑N族阻挡层之间形成结(20)，从而产生二维电子气(2DEG)沟道，Ⅲ‑N族阻挡层具有变化的掺杂剂浓度。Ⅲ‑N族阻挡层的最接近于结的下部区域(18a)没有有意引入的掺杂剂，并且位于下部区域上方的区域(18b)具有有意引入的掺杂剂，所述掺杂剂具有的掺杂浓度大于每cm31×1017的原子数。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 氮化物 中的 掺杂 阻挡 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：Ⅲ‑N族缓冲层；Ⅲ‑N族阻挡层，其与所述Ⅲ‑N族缓冲层直接接触，以在所述Ⅲ‑N族缓冲层与所述Ⅲ‑N族阻挡层之间形成结，从而在所述Ⅲ‑N族缓冲层和所述Ⅲ‑N族阻挡层中具有较低带隙的层中产生二维电子气(2DEG)沟道；并且其中，所述Ⅲ‑N族阻挡层包括最接近于所述结的下部无意掺杂区域以及位于下部区域上方的有意掺杂区域。
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