[发明专利]使用存储器器件中的不同感测节点电压的验证操作有效
| 申请号： | 201680035373.X | 申请日： | 2016-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107750381B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | A.楚;刘钟鹤;金光虎;黎严隆;F.莫加特 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C11/56;G11C16/24;G11C16/26;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 存储器器件中的感测电路在感测过程中能够被预充电至不同的水平以减少用于感测的时间量。例如，在编程操作中，存储器单元处于快编程模式，直到它的阈值电压超过数据状态的偏移验证电压(VO)。偏移验证电压低于数据状态的最终验证电压(VF)。当阈值电压在VO和VF之间时，存储器单元处于慢编程模式。针对一个存储器单元的在VO处的验证测试能够通过将针对该一个存储器单元的感测电路预充电到比针对另一存储器单元的感测电路更高的电压来与针对另一存储器单元的在VF处的验证测试并发执行。能够使用共同的放电时段和跳变条件。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 存储器 器件 中的 同感 节点 电压 验证 操作 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：包括第一感测节点(822)的第一感测电路(850a)，所述第一感测电路与第一存储器单元(MC1)相关联；包括第二感测节点(842)的第二感测电路(851a)，所述第二感测电路与第二存储器单元(MC2)相关联；以及控制电路(110、112、114、116、122、128、132)，所述控制电路与所述第一感测电路和所述第二感测电路相关联，并且被配置为，在感测操作中：将所述第一感测节点预充电到第一感测节点电压(VsenVO)；将所述第二感测节点预充电到低于所述第一感测节点电压的第二感测节点电压(VsenVF)；以及在控制栅极电压(VvA、VvB、VvC)被施加到第一存储器单元和第二存储器单元时，允许所述第一感测节点电压和所述第二感测节点电压在放电时段(ts1‑td1，ts2‑td2)放电。
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