[发明专利]具有超晶格和在不同深度处的穿通停止(PTS)层的半导体装置和相关方法有效
| 申请号： | 201680036091.1 | 申请日： | 2016-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN107771355B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | R·J·梅尔斯;武内英树 | 申请（专利权）人： | 阿托梅拉公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/092;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/15;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置可以包括半导体衬底和具有第一操作电压的第一晶体管。每个第一晶体管可以包括半导体衬底中的第一穿通停止(PTS)层和第一沟道，并且第一PTS层可以在第一沟道下方的第一深度处。该半导体装置可以进一步包括具有高于第一操作电压的第二操作电压的第二晶体管。每个第二晶体管可以包括半导体衬底中的第二PTS层和第二沟道，并且第二PTS层在第二沟道下方的大于第一深度的第二深度处。此外，第一沟道可以包括第一超晶格并且第二沟道可以包括第二超晶格。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶格 不同 深度 停止 pts 半导体 装置 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体衬底；具有第一操作电压的多个第一晶体管，每个第一晶体管包括所述半导体衬底中的第一穿通停止PTS层和第一沟道，所述第一PTS层在所述第一沟道下方的第一深度处；以及具有高于所述第一操作电压的第二操作电压的多个第二晶体管，每个第二晶体管包括所述半导体衬底中的第二PTS层和第二沟道，所述第二PTS层在所述第二沟道下方且大于所述第一深度的第二深度处；所述第一沟道包括第一超晶格并且所述第二沟道包括第二超晶格。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
