[发明专利]有机电子元件的制造方法及空穴注入层的形成方法在审

专利信息
申请号: 201680036302.1 申请日: 2016-06-21
公开(公告)号: CN107710876A 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: 佐佐修一;森岛进一;六原行一 申请(专利权)人: 住友化学株式会社
主分类号: H05B33/10 分类号: H05B33/10;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48;H01L51/50;H05B33/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 葛凡
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的一个实施方式的有机电子元件的制造方法具有空穴注入层用涂布膜形成工序,向塑料基板(10)上,涂布包含具有受电子性的材料的空穴注入层用涂布液而形成空穴注入层用涂布膜(22b);以及加热处理工序,利用红外线向空穴注入层用涂布膜的照射来加热空穴注入层用涂布膜,形成空穴注入层。空穴注入层用涂布膜在第一波长范围1.2μm~5.0μm中具有吸收,红外线是在第一波长范围中包含波长范围1.2μm~10.0μm的红外线的总发射能量的80%以上的红外线。
搜索关键词: 有机 电子元件 制造 方法 空穴 注入 形成
【主权项】:
一种有机电子元件的制造方法,是具有空穴注入层的有机电子元件的制造方法,该制造方法具备:空穴注入层用涂布膜形成工序,向塑料基板上涂布包含空穴注入材料的空穴注入层用涂布液而形成空穴注入层用涂布膜;以及加热处理工序,利用向所述空穴注入层用涂布膜的红外线的照射来加热所述空穴注入层用涂布膜,形成所述空穴注入层,所述空穴注入层用涂布膜在第一波长范围1.2μm~5.0μm中具有吸收,所述红外线是在所述第一波长范围中包含波长范围1.2μm~10.0μm中的所述红外线的总发射能量的80%以上的红外线。
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