[发明专利]具有多电极控制的高压器件

摘要

在所描述的示例中，高压晶体管(HVT)结构(140)使低压晶体管(LVT)(110)适于高压环境。HVT结构(140)包括漏极节点(152)、源极节点(154)、控制栅极(156)和场电极(162、164)。漏极节点(152)和源极节点(154)限定导电沟道(163、165)，其中通过控制栅极(156)调节迁移的电荷。当与控制栅极(156)隔离时，场电极(162、164)被配置为响应于场电压，传播迁移的电荷。场电极(162、164)被构造和布线以防止与漏极节点(152)、源极节点(154)或控制栅极(156)中的任一个共享电荷。有利地，所隔离的场电极(162、164)使控制栅极(156)与漏极节点和源极节点(152、154)的电容最小化，使得HVT(140)可在高压环境中以较小的功率损耗和更健壮的性能进行切换。

主权项

一种高压器件，其包括：低压晶体管即LVT，所述LVT形成在第一衬底上，所述LVT具有第一漏极节点、第一控制栅极和第一源极节点；以及高电子迁移率晶体管即HEMT，所述HEMT形成在第二衬底上，所述HEMT具有：二维电子气层即2DEG层，所述二维电子气层设置在所述第二衬底上面；第二漏极节点，所述第二漏极节点设置在所述2DEG层上面，并且被配置为接收高压源；第二源极节点，所述第二源极节点设置在所述2DEG层上面，并且与所述LVT的所述第一漏极节点连接；第二控制栅极，所述第二控制栅极设置在所述2DEG层上面，并且被配置为调节由所述第二漏极节点、所述第二源极节点，以及所述2DEG层联合限定的沟道；以及场电极，所述场电极设置在所述沟道上面，并且被配置为沿着所述沟道分配电荷，所述场电极在由所述第二衬底限定的区域上方不与所述第二控制栅极和所述第二源极节点接触。