[发明专利]用于将标记图案转印到衬底的方法、校准方法以及光刻设备有效
| 申请号： | 201680037390.7 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107810447B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | P·C·H·阿本;S·拉尔巴哈多尔辛;J·J·H·M·舒努斯;D·F·S·德克尔斯 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种方法，包括：a)向参考衬底提供第一标记图案；b)在参考衬底上向参考衬底提供第一抗蚀剂层，其中第一抗蚀剂层具有使第一抗蚀剂显影所需的最小辐射剂量；c)使用参考图案形成装置在辐射束的截面中向辐射束赋予第二标记图案，以形成经图案化的辐射束；以及d)将参考衬底的第一抗蚀剂层的目标部分n次暴露于经图案化的辐射束，以根据第二标记图案，在第一抗蚀剂层的目标部分中创建已经经受累积的辐射剂量的曝光区域，累积的辐射剂量高于第一抗蚀剂层的最小辐射剂量，其中n是值至少为2的整数。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 标记 图案 转印到 衬底 方法 校准 以及 光刻 设备 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：a)向参考衬底提供第一标记图案；b)在所述参考衬底上向所述参考衬底提供第一抗蚀剂层，其中所述第一抗蚀剂层具有使所述第一抗蚀剂显影所需的最小辐射剂量；c)使用参考图案形成装置，在辐射束的截面中向辐射束赋予第二标记图案，以形成经图案化的辐射束；以及d)将所述参考衬底的所述第一抗蚀剂层的目标部分n次暴露于所述经图案化的辐射束，以根据所述第二标记图案，在所述第一抗蚀剂层的所述目标部分中创建已经经受累积的辐射剂量的曝光区域，所述累积的辐射剂量高于所述第一抗蚀剂层的所述最小辐射剂量，其中n是值至少为2的整数。
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