[发明专利]包含增加半导体器件性能的晶体匹配层的多层结构在审
| 申请号： | 201680037460.9 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109155330A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | F·马丘卡;R·维斯 | 申请（专利权）人： | 帝维拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人： | 刘金峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种多层结构，包括沉积在衬底上的晶体匹配层。晶体匹配层可以被用作欧姆接触、散热翅片和反射层。晶体匹配层的独特性能允许半导体器件的尺寸的减小、半导体器件的制造时间的减少、高电流容量、高电压关断容量和其他优点。 | ||
| 搜索关键词： | 匹配层 半导体器件 多层结构 半导体器件性能 高电流容量 独特性能 欧姆接触 散热翅片 反射层 高电压 沉积 衬底 关断 减小 制造 | ||
【主权项】：
1.一种多层器件，包括：衬底；沉积在所述衬底上的第一层，其中所述第一层包括一个或更多个金属合金；沉积在所述第一层上的第二层，其中所述第二层包括III族氮化物半导体，其中所述第一层的晶格常数与所述第二层的晶格常数基本匹配；以及形成在所述第二层上的第三层，其中所述第一层是针对所述第三层的欧姆接触。
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