[发明专利]使用双层连续Czochralsk法低氧晶体生长的系统和方法有效
| 申请号： | 201680037893.4 | 申请日： | 2016-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107849728B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | S·L·金贝尔 | 申请（专利权）人： | 各星有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/14;C30B29/06;C30B15/12 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 俞翠华 |
| 地址： | 中国香港九龙柯士甸道西1号,*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 公开了一种用于双层连续Cz晶体生长的方法和系统。该系统包括坩埚组件，坩埚组件包括外坩埚中的内坩埚，内坩埚限定生长区和进料区，坩埚组件包含熔融材料(例如硅)。该系统还包括接受器，用于向进料区提供连续进料的连续进料供应装置，以及设置在接受器周围的温度控制系统，该温度控制系统用于冷却生长区底部的硅区以形成固体层，该固体层有利于降低生长中的晶体中的氧浓度。该方法包括将熔融材料分离成生长区和进料区，在生长区的底部开始冷却，并在生长区的底部固化材料区，从而形成固体层。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 双层 连续 czochralsk 低氧 晶体生长 系统 方法 | ||
【主权项】：
双层连续Cz(DLCCz)晶体生长系统，所述系统包括：包括设置在外坩埚内的内坩埚的坩埚组件，内坩埚限定围绕生长中的晶体的生长区以及在内坩埚和外坩埚之间的进料区，坩埚组件包含熔融材料；包含坩埚组件的接受器；连续进料供应装置，用于向进料区提供连续的原料进料；和温度控制系统，温度控制系统设置在接受器周围，并配置为冷却生长区底部的材料区以形成固体层，固体层促进降低生长中的晶体中的氧浓度。
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