[发明专利]半导体晶片表面保护膜以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680038179.7 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN107750386B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 镰田润;川崎登;宇杉真一;助川诚;木下仁;五十岚康二;森本哲光 | 申请（专利权）人： | 三井化学东赛璐株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B32B27/00;B32B27/30;C09J7/20;C09J133/04;C09J201/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鲜英;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体晶片表面保护膜依次具有基材层A、粘着性吸收层B及粘着性表层C，粘着性吸收层B包含含有热固性树脂b1的粘着剂组合物，粘着性吸收层B的于25℃以上且小于250℃的范围内的储能模量G'b的最小值G'bmin为0.001MPa以上且小于0.1MPa，250℃时的储能模量G'b250为0.005MPa以上，且显示出G'bmin的温度为50℃以上且150℃以下，粘着性表层C的于25℃以上且小于250℃的范围内的储能模量G'c的最小值G'cmin为0.03MPa以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 表面 保护膜 以及 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片表面保护膜，依次具有基材层A、粘着性吸收层B及粘着性表层C，所述粘着性吸收层B包含含有热固性树脂b1的粘着剂组合物，所述粘着性吸收层B的于25℃以上且小于250℃的范围内的储能模量G'b的最小值G'bmin为0.001MPa以上且小于0.1MPa，250℃时的储能模量G'b250为0.005MPa以上，且显示出所述G'bmin的温度为50℃以上且150℃以下，所述粘着性表层C的于25℃以上且小于250℃的范围内的储能模量G'c的最小值G'cmin为0.03MPa以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三井化学东赛璐株式会社，未经三井化学东赛璐株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680038179.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
