[发明专利]焊接劈刀有效
| 申请号： | 201680038201.8 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN107710394B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 冈总一郎;大西惇平;石塚祐司;本村研一 | 申请（专利权）人： | TOTO株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 周善来;王玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种焊接劈刀，具备本体部，具有：穿通孔，穿通细丝；第1按压面，按压所述细丝，具有设置在所述穿通孔的周围且相对于所述穿通孔延伸存在的方向而倾斜的第1倾斜面；及第2按压面，按压所述细丝，具有设置在所述第1倾斜面与所述穿通孔之间的呈锥状的锥面、设置在所述锥面与所述第1倾斜面之间的第2倾斜面，其特征为，所述第2倾斜面的粗糙度曲线要素的平方平均平方根斜度小于所述第1倾斜面的粗糙度曲线要素的平方平均平方根斜度。 | ||
| 搜索关键词： | 焊接 劈刀 | ||
【主权项】：
一种焊接劈刀，具备本体部，具有：穿通孔，穿通细丝；第1按压面，按压所述细丝，具有设置在所述穿通孔的周围且相对于所述穿通孔延伸存在的轴向而倾斜的第1倾斜面；及第2按压面，按压所述细丝，具有设置在所述第1倾斜面与所述穿通孔之间的呈锥状的锥面、设置在所述锥面与所述第1倾斜面之间的第2倾斜面，其特征为，所述第2倾斜面的粗糙度曲线要素的平方平均平方根斜度小于所述第1倾斜面的粗糙度曲线要素的平方平均平方根斜度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
