[发明专利]用于维持材料被耗尽和补充的熔融材料所含体积的方法

摘要

一种从在供料坩埚内总是维持固体和液体半导体两相的供料坩埚补充熔融半导体的主要坩埚。加热以熔化固体材料导致固体材料相变为液体，但将不导致供料坩埚内液体温度的任何明显的升高。温度偏移有利地是小的，即小于其将引起成形产物的问题。固体产物材料用作一种温度缓冲剂，以自动地和被动地维持供应液体温度在或非常接近于相变温度。对于硅，偏移被保持小于90℃，且甚至小至50℃。使用锗的方法也是有用的。完全熔化半导体的现有技术硅方法经历超过100℃的偏移。

主权项

一种在主要坩埚中维持一定体积的液体半导体产物材料的方法，所述方法包括：a. 提供包含液体半导体产物材料的主要坩埚，所述半导体产物材料具有平衡熔化温度；b. 提供供料坩埚，和流体耦合，其将所述供料坩埚耦合至所述主要坩埚；c. 在所述供料坩埚中提供呈液相和固相二者的半导体产物材料；d. 维持所述供料坩埚以使液相半导体产物材料和固相半导体产物材料二者存在于所述供料坩埚中；e. 经一段时间从所述主要坩埚移出至少一个等分部分的半导体产物材料，一次一个等分部分；和f. 在至少一个等分部分的半导体产物材料已从所述主要坩埚移出后，将液体半导体产物材料从所述供料坩埚经由所述流体耦合加入到所述主要坩埚中。