[发明专利]生产被挥发性掺杂剂掺杂的单晶锭的方法有效
| 申请号： | 201680038780.6 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN108138354B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | S·巴萨克;G·萨曼塔;S·塞佩达;C·V·吕尔斯;S·L·金贝尔;C·M·哈德森;H·斯里达哈拉默西;R·斯卡拉;R·J·菲利普斯;T·N·斯瓦米纳坦;J·陈;S·W·帕尔默;P·D·维尔德斯 | 申请（专利权）人： | 各星有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B15/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 俞翠华 |
| 地址： | 中国香港九龙柯士甸道西1号*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 在本文中描述了生长被挥发性掺杂剂掺杂的单晶锭的方法和根据该方法生长的锭。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 挥发性 掺杂 单晶锭 方法 | ||
【主权项】：
一种由包括通过一个或多个流体屏障与外熔体区分隔的内熔体区的半导体或太阳能材料的熔体生长单晶锭的方法，所述方法包括：在内熔体区内使所述熔体与晶种接触以引发晶体生长；从所述熔体中拉出晶种以生长单晶锭，所述锭具有颈区、肩区和主体区；生长所述锭以使所述主体区具有轴向长度；和控制内熔体区的掺杂剂浓度以使经过锭轴向长度的至少500毫米的电阻率变化不大于15％，其中控制内熔体区的掺杂剂浓度包括使用模型至少部分基于内熔体区和外熔体区之间的掺杂剂扩散预测内熔体区中的熔体的掺杂剂浓度。
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