[发明专利]采用相关双取样的光传感器有效
申请号: | 201680039044.2 | 申请日: | 2016-05-27 |
公开(公告)号: | CN107787580B | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | R.希克斯 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H04N5/357 | 分类号: | H04N5/357;H04N5/363;H04N5/3745;H04N5/378;G01J1/46 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 叶培勇;杨美灵 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 描述采用相关双取样的光传感器。在一个示例中,第一存储元件耦合到光电检测器,以收集自由电子作为积聚电荷。转移开关耦合到第一存储元件。第二存储元件经过转移开关耦合到第一存储元件,以便在转移开关开放时从第一存储元件收集积聚电荷。感测电路在从第一存储元件收集积聚电荷之前测量第二存储元件上的电荷作为参考电荷,并且在从第一存储元件收集积聚电荷之后测量第二存储元件上的电荷作为读取电荷。通过将参考电荷与读取电荷进行比较来确定所感测电荷。 | ||
搜索关键词: | 采用 相关 取样 传感器 | ||
【主权项】:
一种设备,包括:光电检测器,用于响应入射光子而产生自由电子;第一存储元件,耦合到所述光电检测器,以便从所述光电检测器收集自由电子作为积聚电荷;转移开关,耦合到所述第一存储元件;第二存储元件,经过所述转移开关耦合到所述第一存储元件,以便在所述转移开关开放时从所述第一存储元件收集所述积聚电荷;以及感测电路,用于在从所述第一存储元件收集所述积聚电荷之前测量所述第二存储元件上的所述电荷作为参考电荷,并且用于在从所述第一存储元件收集所述积聚电荷之后测量所述第二存储元件上的所述电荷作为读取电荷,其中通过将所述参考电荷与所述读取电荷进行比较来确定所感测电荷。
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