[发明专利]用于控制嵌段共聚物和另外化合物之间的界面处的表面能的方法在审
| 申请号： | 201680039637.9 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107735727A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | X.舍瓦利耶;C.尼科利特;C.纳瓦罗;G.哈德齐奥安努 | 申请（专利权）人： | 阿科玛法国公司;国家科学研究中心;波尔多理工学院;波尔多大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 詹承斌 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于控制嵌段共聚物(BCP1)的顶部界面处的表面能的方法，以便获得垂直于顶部界面和底部界面两者的所述嵌段共聚物(BCP1)的纳米畴取向，所述嵌段共聚物(BCP1)的底部界面与基底的预中性化的表面接触，所述方法在于用上表面中性化层(TC)覆盖所述嵌段共聚物(BCP1)的上表面，且所述方法的特征在于所述上表面中性化层(TC)由第二嵌段共聚物(BCP2)组成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 共聚物 另外 化合物 之间 界面 表面 方法 | ||
【主权项】：
用于控制嵌段共聚物(BCP1)的上界面处的表面能的方法，以使得可获得垂直于下界面和上界面两者的所述嵌段共聚物(BCP1)的纳米畴取向，所述嵌段共聚物(BCP1)的下界面与基底(S)的预中性化的表面接触，所述方法在于用上表面中性化层(TC)覆盖所述嵌段共聚物(BCP1)的上表面，且所述方法的特征在于所述上表面中性化层(TC)包括第二嵌段共聚物(BCP2)。
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