[发明专利]用于通过对从功率门控器件的漏源电压导出的电压施加经补偿的增益来测量负载电流的装置和方法在审
| 申请号： | 201680039775.7 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109073687A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | M·A·尼克斯 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈炜;袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于测量供给一个或多个集成电路核的负载电流的装置和方法。该装置包括功率门控场效应晶体管(FET)，该功率门控场效应晶体管包括栅极、源极和漏极，其中源极耦合到电压轨，其中漏极耦合到负载，以及其中栅极被配置为接收门控电压以选择性地导通功率门控FET来允许负载电流在电压轨和负载之间流动；以及差分放大器，该差分放大器被配置为通过基于功率门控FET的漏源电压对输入电压施加增益来生成与负载电流有关的电流相关电压，其中响应于功率门控FET的温度或栅源电压的变化，该增益与输入电压成反向地变化。 | ||
| 搜索关键词： | 功率门 负载电流 场效应晶体管 差分放大器 漏源电压 输入电压 电压轨 测量负载电流 电压施加 漏极耦合 门控电压 源极耦合 栅源电压 导出 导通 漏极 源极 配置 集成电路 测量 施加 响应 流动 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：功率门控场效应晶体管(FET)，其包括栅极、源极和漏极，其中所述源极耦合到电压轨，其中所述漏极耦合到负载，以及其中所述栅极被配置为接收门控电压以选择性地导通所述功率门控FET，来经由所述功率门控FET允许负载电流在所述电压轨和所述负载之间流动；以及差分放大器，其被配置为通过将增益施加到输入电压来生成与所述负载电流有关的电流相关电压，其中所述输入电压是基于所述功率门控FET的漏源电压的，以及其中响应于所述功率门控FET的温度或栅源电压的变化，所述增益与所述输入电压成反比地变化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680039775.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于测量电流的装置
- 下一篇：用于检测包括断路单元的电表中的故障的方法
