[发明专利]钙钛矿材料层加工有效
| 申请号： | 201680040676.0 | 申请日： | 2016-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN108140731B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | M·D·埃文;J·A·舒特;V·V·德哈斯 | 申请（专利权）人： | 亨特钙钛矿技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;C07F7/24;C23C16/50;C23C14/06;H01L51/42 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种加工钙钛矿光活性层的方法。该方法包括将铅盐前体沉积到衬底上以形成铅盐薄膜，将第二盐前体沉积到铅盐薄膜上，和将该衬底进行退火以形成钙钛矿材料。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 材料 加工 | ||
【主权项】：
加工钙钛矿光活性层的方法，包括：将铅盐前体沉积到衬底上以形成铅盐薄膜；将第二盐前体沉积到铅盐薄膜上；和将该衬底进行退火以形成钙钛矿材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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