[发明专利]氮化物半导体装置

摘要

氮化物半导体装置具备横型的开关器件，所述横型的开关器件具有基板(1)、沟道形成层、源极区域(9)及漏极区域(10)、和栅极区域(6)。源极区域及漏极区域在基板的平面方向的一个方向上相互离开而配置。栅极区域配置在源极区域与漏极区域之间，由p型半导体层构成。栅极区域在基板的平面方向上在与源极区域及漏极区域的排列方向垂直的方向上被分割为多个。由此，能够确保高阻止耐压并且实现更低导通电阻化。

主权项

一种氮化物半导体装置，其特征在于，具备横型的开关器件，所述横型的开关器件具有：基板(1)，由半绝缘体或半导体构成；沟道形成层，在上述基板上形成有构成电子行进层的第1氮化物半导体层(2)，并且，在上述第1氮化物半导体层之上层叠有由至少一个第2氮化物半导体层(3)和至少一个第3氮化物半导体层(4)形成的异质结构造，上述至少一个第2氮化物半导体层(3)的禁带宽度比上述第1氮化物半导体层大，构成电子供给部，上述至少一个第3氮化物半导体层(4)的禁带宽度比上述至少一个第2氮化物半导体层小；源极区域(9)及漏极区域(10)，在上述基板的平面方向的一个方向上相互离开而配置，并形成为，从上述沟道形成层的表面到达上述第1氮化物半导体层；以及栅极区域(6)，配置在上述源极区域与上述漏极区域之间，由p型半导体层构成；在上述第1氮化物半导体层与上述至少一个第2氮化物半导体层的界面处的上述第1氮化物半导体层侧感应二维电子气载流子，并且，在上述至少一个第2氮化物半导体层与位于该至少一个第2氮化物半导体层的上层的上述至少一个第3氮化物半导体层之间感应二维空穴气，在上述源极区域与上述漏极区域之间流过电流；在上述基板的平面方向上，上述栅极区域在与上述源极区域及上述漏极区域的排列方向垂直的方向上被分割为多个。