[发明专利]用于半导体装置的场板结构在审
| 申请号： | 201680041408.0 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN108604596A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 夏令;M·阿西塞;卢斌 | 申请（专利权）人： | 剑桥电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/02;H01L31/02 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 王珺;徐瑞红 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于半导体装置中的电场管理的场板结构。场板半导体结构包括：半导体衬底；源极欧姆接点、漏极欧姆接点和栅极接点，所述栅极接点安置在位于所述源极欧姆接点与所述漏极欧姆接点之间的栅极区域之上；以及源极场板，其连接到所述源极欧姆接点。场板电介质安置在所述半导体衬底之上。封装电介质安置在所述栅极接点之上，其中所述封装电介质覆盖所述栅极接点的顶表面。所述源极场板在所述封装电介质不存在的场板区域中安置在所述场板电介质之上。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆接点 栅极接点 电介质 源极 封装 半导体装置 场板电介质 安置 场板结构 源极场板 场板 衬底 漏极 半导体 半导体结构 电场 栅极区域 顶表面 覆盖 管理 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶体管装置，其包括：半导体衬底；源极欧姆接点、漏极欧姆接点和栅极接点，所述栅极接点安置在定位于所述源极欧姆接点与所述漏极欧姆接点之间的栅极区域之上；场板电介质，其安置在所述半导体衬底之上，其中所述场板电介质包括第一场板区域；封装电介质，其安置在所述栅极接点之上，其中所述封装电介质覆盖所述栅极接点的顶表面；以及源极场板，其连接到所述源极欧姆接点，其中所述源极场板在所述第一场板区域中安置在所述场板电介质之上，并且其中所述第一场板区域中不存在所述封装电介质。
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