[发明专利]形成用于基板图案化的掩模的方法有效
申请号: | 201680041869.8 | 申请日: | 2016-06-22 |
公开(公告)号: | CN107851557B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 安东·J·德维利耶 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/56;H01L21/033;H01L21/768 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 唐京桥;董娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种在光致抗蚀剂材料中使用自对准的次分辨率尺寸来创建特征部的图案化方法。技术包括在软材料(例如光致抗蚀剂)中选择性地创建抗间隔物(或间隔物)。将不含光酸发生剂的光致抗蚀剂沉积在具有光酸发生剂的经溶解度中和的光致抗蚀剂材料的浮雕图案上。然后,光掩模限定根据相应的活化曝光而产生光酸的位置。接着将光酸扩散至不含光酸发生剂的光致抗蚀剂中,以引起用于后续显影的溶解度变化。这些可选地创建的抗间隔物可以是具有由酸扩散长度限定的宽度(可以是1纳米到数十纳米的宽度)的线段。此外,可以使用光掩模来控制抗间隔物的创建、其位置和长度。 | ||
搜索关键词: | 形成 用于 图案 方法 | ||
【主权项】:
一种图案化基板的方法,所述方法包括:接收基板,所述基板具有位于所述基板的目标层上的第一浮雕图案,所述第一浮雕图案包括位于所述目标层上的一个或更多个结构,使得所述目标层的一部分被覆盖并且所述目标层的剩余部分未被覆盖,所述第一浮雕图案已经使用第一光掩模至少部分地被创建,所述第一浮雕图案包括第一光致抗蚀剂材料,所述第一光致抗蚀剂材料包括响应于暴露于光化辐射而产生溶解度改变剂的发生剂化合物;执行溶解度中和处理,所述溶解度中和处理防止所述第一浮雕图案的溶解度随后因光化辐射而改变;在所述基板上沉积外覆材料,所述外覆材料至少填充由所述第一浮雕图案的一个或更多个结构限定的空间,所述外覆材料不含响应于暴露于光化辐射而产生溶解度改变剂的所述发生剂化合物;将所述基板转移至光刻系统,所述光刻系统使用第二光掩模将所述第一浮雕图案的选定部分暴露于光化辐射,所述光化辐射使得所述第一浮雕图案的选定部分从所述发生剂化合物中产生所述溶解度改变剂;以及使所述溶解度改变剂在所述第一浮雕图案的选定部分与所述外覆材料之间的界面处从所述第一浮雕图案的选定部分扩散至所述外覆材料中,所述溶解度改变剂改变所述外覆材料的已经接收了足够的溶解度改变剂的部分的溶解度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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