[发明专利]具有容差沟槽的加固的晶圆级MEMS力传感器在审
| 申请号： | 201680041987.9 | 申请日： | 2016-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN107848788A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | I·凯姆贝尔;R·戴斯特儿霍斯特;D·本杰明;S·S·纳斯理 | 申请（专利权）人： | 触控解决方案股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;G01L1/16;G01L1/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述了一种示例MEMS力传感器。MEMS力传感器可包括用于接收施加的力的盖以及粘结至盖的传感器。沟槽和腔可形成在传感器中。沟槽可沿着传感器的周边边缘的至少一部分形成。可密封在盖和传感器之间的腔可限定外壁和柔性感测元件，并且外壁可布置在沟槽和腔之间。传感器还可包括形成在柔性感测元件上的传感器元件。传感器元件可响应于柔性感测元件的挠曲而更改电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 加固 晶圆级 mems 传感器 | ||
【主权项】：
一种微机电(MEMS)力传感器，包括：盖，所述盖用于接收施加的力；传感器，所述传感器粘结至所述盖，所述传感器包括：沿着所述传感器的周边边缘的至少一部分形成在所述传感器中的沟槽，和形成在所述传感器中的腔，所述腔限定外壁和至少一个柔性感测元件，所述外壁布置在所述沟槽和所述腔之间，并且所述腔密封在所述盖和所述传感器之间；和传感器元件，所述传感器元件形成在所述至少一个柔性感测元件上，其中所述传感器元件响应于所述至少一个柔性感测元件的挠曲而更改电特性。
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