[发明专利]以期望的均匀性控制在单个晶片加工室中制造增强的半导体结构的方法有效
| 申请号： | 201680041996.8 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107864684B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | R·J·米尔斯;N·科迪;R·J·史蒂芬森 | 申请（专利权）人： | 阿托梅拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 王海宁 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种在单个晶片加工室中加工半导体晶片的方法，该方法可以包括将单个晶片加工室加热到650‑700℃范围内的温度，和通过沉积硅和氧以形成多个堆叠的层组在加热的单个晶片加工室内的半导体晶片上形成至少一个超晶格。每个层组可以包括界定基础硅部分的多个堆叠的基础硅单层以及限制在相邻的基础硅部分的晶格内的至少一个氧单层。沉积氧可以包括使用N |
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| 搜索关键词： | 期望 均匀 控制 单个 晶片 加工 制造 增强 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种在单个晶片加工室中加工半导体晶片的方法，该方法包括：将单个晶片加工室加热到650‑700℃范围内的温度；和通过沉积硅和氧以形成多个堆叠的层组在加热的单个晶片加工室内的半导体晶片上形成至少一个超晶格，每个层组包含界定基础硅部分的多个堆叠的基础硅单层以及限制在相邻的基础硅部分的晶格内的至少一个氧单层；其中沉积氧包括使用N2O气流沉积氧。
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