[发明专利]多层陶瓷电容器有效
| 申请号： | 201680042070.0 | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107851480B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | T.井川;G.田内;M.广濑;T.寺田 | 申请（专利权）人： | 埃普科斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B3/12 | 分类号： | H01B3/12;H01G4/00;C04B35/475 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;刘春元 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 【问题】所解决的问题在于提供一种介电组成，其被有利地使用在具有高额定电压的电源电路中并且具有当施加DC偏压时的极好的介电常数和极好的高温负荷正常运行时间，并且还在于提供包括所述介电组成的介电元件、电子部件和层压电子部件。【方案】一种介电组成，其具有包含至少Bi、Na、Sr和Ti的钙钛矿晶体结构。所述介电组成包括低Bi相，在所述低Bi相中，Bi浓度是介电组成整体中的平均Bi浓度的不大于0.8倍。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 陶瓷 电容器 | ||
【主权项】：
具有包含至少Bi、Na、Sr和Ti的钙钛矿晶体结构的介电组成，其特征在于：所述介电组成包括低Bi相，在所述低Bi相中，Bi浓度是介电组成整体中的平均Bi浓度的不大于0.8倍。
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