[发明专利]用于制造隔膜组件的方法在审
申请号: | 201680042163.3 | 申请日: | 2016-07-04 |
公开(公告)号: | CN107850831A | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | J·H·克洛特韦克;W·T·A·J·范登艾登 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 王静 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法,所述方法包括提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层,其中所述平坦衬底包括内部区域和围绕所述内部区域的边界区域;以及选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域。所述隔膜组件包括由所述至少一个隔膜层形成的隔膜;和保持所述隔膜的边界,所述边界由所述平坦衬底的所述边界区域形成。所述叠层设置有机械保护材料,所述机械保护材料被配置成在选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域的步骤期间以机械的方式保护所述边界区域。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 隔膜 组件 方法 | ||
【主权项】:
一种制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法,所述方法包括:提供叠层,所述叠层包括平坦衬底和至少一个隔膜层,其中所述平坦衬底包括内部区域和围绕所述内部区域的边界区域;和选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域,使得所述隔膜组件包括:由所述至少一个隔膜层形成的隔膜;和保持所述隔膜的边界,所述边界由所述平坦衬底的所述边界区域形成;其中所述叠层设置有机械保护材料,所述机械保护材料被配置成在选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域的步骤期间以机械的方式保护所述边界区域。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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