[发明专利]靶材在审
| 申请号： | 201680042827.6 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107849689A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 上滩真史;斉藤和也;玉田悠;上野英 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C27/04;B22F3/14 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 杨文娟,臧建明 |
| 地址： | 日本东京港*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供用以抑制溅射时栅极电极的污染，且形成获得稳定的薄膜晶体管特性的栅极电极的靶材。本发明是一种如下的靶材，其是含有合计50原子％以下的选自由W、Nb、Ta、Ni、Ti、Cr所组成的群组的一种或两种以上的元素M，剩余部分包含Mo及不可避免的杂质的靶材，不可避免的杂质之一的K为0.4质量ppm～20.0质量ppm，且优选为含有10原子％～50原子％的W作为所述元素M。 | ||
| 搜索关键词： | 靶材 | ||
【主权项】：
一种靶材，其是含有合计50原子％以下的选自由W、Nb、Ta、Ni、Ti、Cr所组成的群组的一种或两种以上的元素M，剩余部分包含Mo及不可避免的杂质的靶材，其特征在于：所述不可避免的杂质之一的K为0.4质量ppm～20.0质量ppm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立金属株式会社，未经日立金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680042827.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
