[发明专利]多结光伏装置有效
申请号: | 201680042865.1 | 申请日: | 2016-06-10 |
公开(公告)号: | CN107924933B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | A·罗宾逊;C·凯斯;D·柯克;E·克罗斯兰;J·瓦茨;N·博蒙特;P·巴特勒;S·胡珀 | 申请(专利权)人: | 牛津光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/44;H01L51/46;C01G21/00 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种多结光伏装置(100),其包括设置在第二子电池(120)上方的第一子电池(110),所述第一子电池包括包含钙钛矿材料层的光敏区域,并且所述第二子电池包括硅异质结(SHJ)。 | ||
搜索关键词: | 多结光伏 装置 | ||
【主权项】:
一种多结光伏装置,包括:布置在第二子电池上方的第一子电池,其中所述第一子电池包括包含至少一个n型层的n型区域、包含至少一个p型层的p型区域以及包含没有开孔孔隙度的钙钛矿材料层的光敏区域,所述光敏区域设置在所述n型区域和所述p型区域之间,并且与所述n型区域和所述p型区域中的一者或两者形成平面异质结;其中所述钙钛矿材料具有通式(IA):AxA’1‑xB(XyX’1‑y)3 (IA)其中A是甲脒阳离子(FA),A'是铯阳离子(Cs+),B是Pb2+,X是碘,X'是溴,并且其中0<x≤1且0<y≤1;以及其中所述第二子电池包括硅异质结(SHJ)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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